制造商型号: | 2SK3475TE12LF |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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Toshiba(东芝) 2SK3475TE12LF
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2SK3475TE12LF 中文资料
数据手册PDF
2SK3475TE12LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏极电流 1 A
漏源击穿电压 20 V
工作频率 520 MHz
输出功率 630 mW
配置 Single
耗散功率 3 W
栅极电压 10 V
栅源极阈值电压 2.4 V
规格参数
增益 14.9 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
品牌其他型号
2SK3475TE12LF品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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