2SK3475TE12LF

Toshiba(东芝) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS

RF Mosfet N 通道 7.2 V 50 mA 520MHz 14.9dB 630mW SC-62

得捷:
MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS

Win Source:
MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI

2SK3475TE12LF中文资料参数规格

技术参数

频率 520 MHz

额定电流 1 A

耗散功率 3 W

输出功率 630 mW

增益 14.9 dB

测试电流 50 mA

额定电压 20 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PW-Mini-3

外形尺寸

封装 PW-Mini-3

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SK3475TE12LF引脚图与封装图

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