制造商型号： | SIB437EDKT-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIB437EDKT-T1-GE3
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SIB437EDKT-T1-GE3 中文资料
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SIB437EDKT-T1-GE3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIB437EDKT-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
34mOhm @ 3A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
16nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.4W (Ta), 13W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerPAK® TSC75-6
封装/外壳
PowerPAK® TSC-75-6
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SIB437EDKT-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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