SIB437EDKT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 13 W
上升时间 170 ns
下降时间 630 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 PowerPAK-SC75-6
外形尺寸
宽度 1.6 mm
封装 PowerPAK-SC75-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIB437EDKT-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIB437EDKT-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIB437EDKT-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -9 A, -8 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -350 mV | 搜索库存 |