制造商型号: | SIE836DF-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SIE836DF-T1-GE3
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SIE836DF-T1-GE3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIE836DF-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
包装
Digi-Reel®
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
18.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
130mOhm @ 4.1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
41nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1200pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
10-PolarPAK® (SH)
封装/外壳
10-PolarPAK® (SH)
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SIE836DF-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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