SIE836DF-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SIE836DF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 5.2W Ta, 104W Tc
漏源极电压Vds 200 V
输入电容Ciss 1200pF @100VVds
耗散功率Max 5.2W Ta, 104W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PolarPAK-10
外形尺寸
长度 6.15 mm
宽度 5.16 mm
高度 0.8 mm
封装 PolarPAK-10
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIE836DF-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIE836DF-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIE836DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK | 搜索库存 |
替代型号SIE836DF-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIE836DF-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 10-PolarPAK | 当前型号 | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK | 当前型号 |
| 型号： SIE836DF-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PolarPAK-10 | 完全替代 | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK | SIE836DF-T1-GE3和SIE836DF-T1-E3的区别 |