制造商型号： | SI4931DY-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI4931DY-T1-GE3
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SI4931DY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI4931DY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 8.9 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 52 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 155 ns
正向跨导（Min） 26 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 230 ns
典型接通延迟时间 25 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4931DY-GE3
单位重量 187 mg
库存： 10971
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 17.433391 | 17.43 |
| 10 | 15.56249 | 155.62 |
| 100 | 12.13109 | 1213.11 |
| 500 | 10.02094 | 5010.47 |
| 1000 | 7.911358 | 7911.36 |
品牌其他型号
SI4931DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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