制造商型号: | SI1023CX-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 20V SC89-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI1023CX-T1-GE3

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SI1023CX-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI1023CX-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 450 mA
漏源电阻 756 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 2.5 nC
耗散功率 220 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 0.6 mm
长度 1.66 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 32 mg
库存: 51850
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.126637 | 6.13 |
10 | 4.787325 | 47.87 |
100 | 2.875245 | 287.52 |
500 | 2.662096 | 1331.05 |
1000 | 1.810352 | 1810.35 |
品牌其他型号
SI1023CX-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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