制造商型号: | NTJD4105CT2G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) NTJD4105CT2G
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NTJD4105CT2G 中文资料
数据手册PDF
NTJD4105CT2G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 27 V, 10.5 V
漏极电流 630 mA, 775 mA
漏源电阻 290 mOhms, 220 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V, - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 920 mV, 830 mV
栅极电荷 1.3 nC, 2.2 nC
耗散功率 270 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 506 ns, 36 ns
正向跨导(Min) 2 S
上升时间 227 ns, 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 786 ns, 50 ns
典型接通延迟时间 83 ns, 13 ns
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥5.008618 总价:¥5.01 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.008618 | 5.01 |
10 | 4.04267 | 40.43 |
100 | 2.75474 | 275.47 |
500 | 2.065936 | 1032.97 |
1000 | 1.549452 | 1549.45 |