制造商型号： | NTJD5121NT2G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NTJD5121NT2G
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NTJD5121NT2G 中文资料
数据手册PDF
NTJD5121NT2G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 295 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 900 pC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 32 ns
正向跨导（Min） 80 S
上升时间 34 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存： 2769
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.610466 | 4.61 |
| 10 | 3.252248 | 32.52 |
| 100 | 1.642322 | 164.23 |
| 500 | 1.455413 | 727.71 |
| 1000 | 1.13268 | 1132.68 |
