制造商型号： | SI4936BDY-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI4936BDY-T1-E3
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SI4936BDY-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI4936BDY-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.9 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 9.1 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 12 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4936BDY-E3
单位重量 750 mg
库存： 22299
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 12.588556 | 12.59 |
| 10 | 11.289947 | 112.90 |
| 100 | 8.797413 | 879.74 |
| 500 | 7.267175 | 3633.59 |
| 1000 | 5.737335 | 5737.34 |
品牌其他型号
SI4936BDY-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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