制造商型号: | SI9933CDY-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SI9933CDY-T1-GE3
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SI9933CDY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI9933CDY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 58 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 17 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 21 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI9933CDY-GE3
单位重量 187 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥8.154974 总价:¥8.15 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 8.154974 | 8.15 |
10 | 7.178849 | 71.79 |
100 | 5.502136 | 550.21 |
500 | 4.349318 | 2174.66 |
1000 | 3.479455 | 3479.46 |
品牌其他型号
SI9933CDY-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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