制造商型号: | ZXMHC3A01T8TA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) ZXMHC3A01T8TA
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ZXMHC3A01T8TA 中文资料
数据手册PDF
ZXMHC3A01T8TA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.1 A, 2.3 A
漏源电阻 180 mOhms, 330 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 3 V
栅极电荷 3.9 nC, 2.6 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 2.3 ns
上升时间 2.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Dual Channel
单位重量 74 mg
库存: 44127
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 21.393846 | 21.39 |
10 | 17.774305 | 177.74 |
100 | 14.147303 | 1414.73 |
500 | 11.970604 | 5985.30 |
品牌其他型号
ZXMHC3A01T8TA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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