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SILICONIX(威世) SI1900DL-T1-GE3

SILICONIX(威世) SI1900DL-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SI1900DL-T1-GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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SI1900DL-T1-GE3 中文资料

SI1900DL-T1-GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 630 mA

漏源电阻 480 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 1.4 nC

耗散功率 300 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 7 ns

正向跨导(Min) 0.75 S

上升时间 8 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 8 ns

典型接通延迟时间 5 ns

外形参数

高度 1 mm

长度 2.1 mm

宽度 1.25 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 7.500 mg

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥7.04963 总价:¥7.05

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 7.04963 7.05
10 6.055747 60.56
100 4.518697 451.87
500 3.550702 1775.35
1000 2.743577 2743.58
品牌其他型号
SI1900DL-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 射频晶体管 ,可在锐单商城现货采购SI1900DL-T1-GE3、查询SI1900DL-T1-GE3代理商; SI1900DL-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SI1900DL-T1-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SI1900DL-T1-GE3替代型号SI1900DL-T1-GE3数据手册PDF