制造商型号： | CSD83325L |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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TI(德州仪器) CSD83325L
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CSD83325L 中文资料
数据手册PDF
CSD83325L 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 11.9 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 750 mV
栅极电荷 10.9 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 589 ns
正向跨导（Min） 36 S
上升时间 353 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 711 ns
典型接通延迟时间 205 ns
外形参数
高度 0.2 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.500 mg
库存： 2109
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 38 | 4.463146 | 169.60 |
| 50 | 3.570574 | 178.53 |
| 100 | 3.570574 | 357.06 |
| 300 | 3.124289 | 937.29 |
| 500 | 2.975526 | 1487.76 |
| 1000 | 2.975526 | 2975.53 |
品牌其他型号
CSD83325L品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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