制造商型号： | SIA527DJ-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多SIA527DJ-T1-GE3价格库存等采购信息！ |
SILICONIX(威世) SIA527DJ-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SIA527DJ-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIA527DJ-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 29 mOhms, 41 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 15 nC, 26 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 15 ns
正向跨导（Min） 21 S, 12 S
上升时间 10 ns, 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 32 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 22 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 28 mg
库存： 11336
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 12.391895 | 12.39 |
| 10 | 7.710513 | 77.11 |
| 100 | 4.988885 | 498.89 |
| 500 | 3.81242 | 1906.21 |
| 1000 | 3.433321 | 3433.32 |
品牌其他型号
SIA527DJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购SIA527DJ-T1-GE3、查询SIA527DJ-T1-GE3代理商； SIA527DJ-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SIA527DJ-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
SIA527DJ-T1-GE3替代型号
、
SIA527DJ-T1-GE3数据手册PDF。