制造商型号: | SQJ963EP-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQJ963EP-T1_GE3
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SQJ963EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ963EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 67 mOhms, 67 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 27 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 8 ns
正向跨导(Min) 10 S, 10 S
上升时间 13 ns, 13 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns, 36 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 5.328545 | 15985.64 |
6000 | 4.942419 | 29654.51 |
15000 | 4.749356 | 71240.34 |