制造商型号： | SIR410DP-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIR410DP-T1-GE3
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SIR410DP-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIR410DP-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 36 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIR410DP-GE3
单位重量 506.600 mg
库存： 3000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.962312 | 13.96 |
| 10 | 12.430163 | 124.30 |
| 100 | 9.690833 | 969.08 |
| 500 | 8.005471 | 4002.74 |
| 1000 | 6.320107 | 6320.11 |
品牌其他型号
SIR410DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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