制造商型号： | DMN2041LSD-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMN2041LSD-13
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DMN2041LSD-13 中文资料
数据手册PDF
DMN2041LSD-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7.63 A
漏源电阻 19 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 15.6 nC
耗散功率 1.16 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6.43 ns
上升时间 13.19 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.1 ns
典型接通延迟时间 4.69 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 1837
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.070818 | 6.07 |
| 10 | 5.154244 | 51.54 |
| 100 | 3.849613 | 384.96 |
| 500 | 3.024696 | 1512.35 |
| 1000 | 2.337265 | 2337.26 |
品牌其他型号
DMN2041LSD-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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