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DMN2041LSD-13

DMN2041LSD-13

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Diodes(美台) 分立器件

双 N-沟道 20 V 28/41 mΩ 15.6 nC 表面贴装 增强型 Mosfet - SOIC-8

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 7.63A 1.16W Surface Mount 8-SO


立创商城:
DMN2041LSD-13


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO


贸泽:
MOSFET MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE


艾睿:
Thanks to Diodes Zetex, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the DMN2041LSD-13 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 1160 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
Dual N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 7.63A 8-Pin SO T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 7.63A Automotive 8-Pin SO T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 7.63A Automotive 8-Pin SO T/R


儒卓力:
**DUALMOS 20V 28mOhm AECQ SO-8 **


Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO


DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 20V 7.63A SO8


DMN2041LSD-13中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

极性 N-CH

耗散功率 1.16 W

阈值电压 500 mV, 500 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 ±20 V

连续漏极电流Ids 7.63A

上升时间 13.19 ns

输入电容Ciss 550pF @10VVds

额定功率Max 1.16 W

下降时间 6.43 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1.16 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMN2041LSD-13引脚图与封装图
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DMN2041LSD-13 Diodes 美台 双 N-沟道 20 V 28/41 mΩ 15.6 nC 表面贴装 增强型 Mosfet - SOIC-8 搜索库存