制造商型号： | SI6968BEDQ-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI6968BEDQ-T1-E3
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SI6968BEDQ-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI6968BEDQ-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 18 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 510 ns
正向跨导（Min） 30 S
上升时间 330 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 860 ns
典型接通延迟时间 245 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI6968BEDQ-E3
单位重量 158 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 3000 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥7.865939 总价：￥23597.82 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 7.865939 | 23597.82 |
| 6000 | 7.491371 | 44948.23 |
| 9000 | 7.145615 | 64310.54 |
品牌其他型号
SI6968BEDQ-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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