制造商型号： | SI5908DC-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI5908DC-T1-E3
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SI5908DC-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI5908DC-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.9 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI5908DC-E3
单位重量 85 mg
SI5908DC-T1-E3 同类别型号
库存： 25662
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 20.207739 | 20.21 |
| 10 | 18.08941 | 180.89 |
| 100 | 14.103607 | 1410.36 |
| 500 | 11.650807 | 5825.40 |
| 1000 | 9.198006 | 9198.01 |
品牌其他型号
SI5908DC-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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