制造商型号： | GTVA311801FA-V1-R2 |
制造商： | CREE (科锐) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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CREE(科锐) GTVA311801FA-V1-R2
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GTVA311801FA-V1-R2 中文资料
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GTVA311801FA-V1-R2 规格参数
属性
参数值
制造商型号
GTVA311801FA-V1-R2
制造商
CREE(科锐)
商品描述
GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
GaN
零件状态
Active
晶体管类型
HEMT
频率
2.7GHz ~ 3.1GHz
增益
15dB
电压 - 测试
50V
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
20mA
功率 - 输出
180W
电压 - 额定
125V
封装/外壳
H-37265J-2
供应商器件封装
H-37265J-2
GTVA311801FA-V1-R2 同类别型号
库存： 250
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5393.280776 | 5393.28 |
| 100 | 4649.417261 | 464941.73 |
品牌其他型号
GTVA311801FA-V1-R2品牌厂家：CREE
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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