制造商型号： | E3M0120090D |
制造商： | CREE (科锐) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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CREE(科锐) E3M0120090D
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E3M0120090D 中文资料
数据手册PDF
E3M0120090D 规格参数
关键信息
制造商 Wolfspeed
商标 Wolfspeed
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 23 A
漏源电阻 155 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 18 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 17.3 nC
耗散功率 97 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 7.7 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 27 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 74.675123 | 74.68 |
| 10 | 68.648709 | 686.49 |
| 100 | 57.977372 | 5797.74 |
品牌其他型号
E3M0120090D品牌厂家：CREE
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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