制造商型号: | C3M0120090D |
制造商: | CREE (科锐) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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CREE(科锐) C3M0120090D
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C3M0120090D 中文资料
数据手册PDF
C3M0120090D 规格参数
关键信息
制造商 Wolfspeed
商标 Wolfspeed
产品 Power MOSFETs
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 23 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 19 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 17.3 nC
耗散功率 97 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 10 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 27 ns
外形参数
高度 21.1 m
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Silicon Carbide MOSFET
单位重量 6 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 141.463695 | 141.46 |
10 | 136.747888 | 1367.48 |
30 | 128.566121 | 3856.98 |
90 | 121.434645 | 10929.12 |
品牌其他型号
C3M0120090D品牌厂家:CREE
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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