制造商型号： | NDS9952A |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NDS9952A
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NDS9952A 中文资料
数据手册PDF
NDS9952A 规格参数
属性
参数值
制造商型号
NDS9952A
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.7A, 2.9A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
80mOhm @ 1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
320pF @ 10V
功率 - 最大值
900mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SOIC
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 3.027661 | 7569.15 |
| 5000 | 2.752438 | 13762.19 |
| 12500 | 2.64654 | 33081.75 |
