制造商型号: | MRFE6VP61K25HSR5 |
制造商: | NXP (恩智浦) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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NXP(恩智浦) MRFE6VP61K25HSR5
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MRFE6VP61K25HSR5 中文资料
数据手册PDF
MRFE6VP61K25HSR5 规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏极电流 10 uA
漏源击穿电压 133 V
工作频率 1.8 MHz, 600 MHz
输出功率 1.25 kW
配置 Single
耗散功率 1.333 kW
栅极电压 10 V
栅源极阈值电压 2.2 V
规格参数
增益 24 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935314409178
单位重量 8.488 g
库存: 50
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 2704.848199 | 2704.85 |
10 | 2590.533568 | 25905.34 |
25 | 2533.388711 | 63334.72 |
品牌其他型号
MRFE6VP61K25HSR5品牌厂家:NXP
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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