制造商型号: | RQ3E130MNTB1 |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ROHM(罗姆) RQ3E130MNTB1
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RQ3E130MNTB1 中文资料
数据手册PDF
RQ3E130MNTB1 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 5.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥3.629042 总价:¥3.63 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 3.629042 | 3.63 |
10 | 2.764985 | 27.65 |
30 | 2.606574 | 78.20 |
100 | 2.448163 | 244.82 |
500 | 2.376158 | 1188.08 |
品牌其他型号
RQ3E130MNTB1品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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