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MRFE6VP61K25HSR5

MRFE6VP61K25HSR5

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

NXP MRFE6VP61K25HSR5 RF FET Transistor, 125V, 100mA, 1.333kW, 1.8MHz, 600MHz, NI-1230S

RF Mosfet LDMOS(双) 50 V 100 mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230-4S


得捷:
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 133V 4-Pin Case 375E-04 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 133V 4-Pin NI-1230S T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 133V 4-Pin Case 375E-04 T/R


Newark:
# NXP  MRFE6VP61K25HSR5  RF FET Transistor, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230S


RfMW:
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 1250 W, Typ Gain in dB is 22.9 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1829


Win Source:
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S / RF Mosfet LDMOS Dual 50 V 100 mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230-4S


MRFE6VP61K25HSR5中文资料参数规格
技术参数

频率 230 MHz

无卤素状态 Halogen Free

耗散功率 1.333 kW

漏源极电压Vds 125 V

输出功率 1250 W

增益 24 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 562pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 133 V

电源电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 NI-1230-4S

外形尺寸

封装 NI-1230-4S

物理参数

重量 8488.4 mg

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MRFE6VP61K25HSR5引脚图与封装图
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在线购买MRFE6VP61K25HSR5
型号 制造商 描述 购买
MRFE6VP61K25HSR5 NXP 恩智浦 NXP MRFE6VP61K25HSR5 RF FET Transistor, 125V, 100mA, 1.333kW, 1.8MHz, 600MHz, NI-1230S 搜索库存
替代型号MRFE6VP61K25HSR5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MRFE6VP61K25HSR5

品牌: NXP 恩智浦

封装: NI-1230S

当前型号

NXP MRFE6VP61K25HSR5 RF FET Transistor, 125V, 100mA, 1.333kW, 1.8MHz, 600MHz, NI-1230S

当前型号

型号: MRFE6VP61K25HR6

品牌: 恩智浦

封装: NI-1230

类似代替

晶体管, 射频FET, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

MRFE6VP61K25HSR5和MRFE6VP61K25HR6的区别

型号: MRF6VP41KHSR5

品牌: 恩智浦

封装: NI-1230S

功能相似

Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-500MHz, 1000W, 50V

MRFE6VP61K25HSR5和MRF6VP41KHSR5的区别

型号: MRF6VP41KHSR6

品牌: 恩智浦

封装: Air

功能相似

Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-500MHz, 1000W, 50V

MRFE6VP61K25HSR5和MRF6VP41KHSR6的区别