制造商型号： | SIZ340DT-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIZ340DT-T1-GE3
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SIZ340DT-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIZ340DT-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30 A, 40 A
漏源电阻 9.5 mOhms, 5.1 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 19 nC, 35 nC
耗散功率 16.7 W, 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 7 ns
正向跨导（Min） 37 S, 60 S
上升时间 55 ns, 82 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 13 ns, 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
SIZ340DT-T1-GE3 同类别型号
库存： 8763
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 17.440444 | 17.44 |
| 10 | 11.688157 | 116.88 |
| 100 | 8.118987 | 811.90 |
| 500 | 6.513854 | 3256.93 |
| 1000 | 5.987275 | 5987.28 |
品牌其他型号
SIZ340DT-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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