制造商型号： | SSM6N58NU,LF |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Toshiba(东芝) SSM6N58NU,LF
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SSM6N58NU,LF 中文资料
数据手册PDF
SSM6N58NU,LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 112 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 26 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.500 mg
SSM6N58NU,LF 引脚图与封装图
SSM6N58NU,LF引脚图
SSM6N58NU,LF封装图
SSM6N58NU,LF封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.917301 | 2751.90 |
| 6000 | 0.861707 | 5170.24 |
| 15000 | 0.806113 | 12091.69 |
| 30000 | 0.739372 | 22181.16 |
| 75000 | 0.711576 | 53368.20 |
品牌其他型号
SSM6N58NU,LF品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 射频晶体管
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