制造商型号: | DMT3020LDV-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMT3020LDV-7
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DMT3020LDV-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 1.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.4 ns
上升时间 1.9 ns
典型关闭延迟时间 7.5 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2000 | 1.38585 | 2771.70 |
6000 | 1.296451 | 7778.71 |
10000 | 1.207053 | 12070.53 |
50000 | 1.13252 | 56626.00 |