SSM6N58NU,LF

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 6Pin UDFN EP

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 4A 1W Surface Mount 6-UDFN 2x2

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

贸泽:
MOSFET N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 6-Pin UDFN EP T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 4A

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 6-Pin UDFN EP T/R

Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

SSM6N58NU,LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 129pF @15VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UDFN-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.75 mm

封装 UDFN-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SSM6N58NU,LF引脚图与封装图

SSM6N58NU,LF引脚图

SSM6N58NU,LF封装图

SSM6N58NU,LF封装焊盘图

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SSM6N58NU,LF	Toshiba 东芝	Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 6Pin UDFN EP	搜索库存