制造商型号： | NTJD1155LT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NTJD1155LT1G
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NTJD1155LT1G 中文资料
数据手册PDF
NTJD1155LT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 175 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 P-Channel
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 31 mg
NTJD1155LT1G 引脚图与封装图
NTJD1155LT1G引脚图
NTJD1155LT1G封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.153413 | 3460.24 |
| 6000 | 1.09475 | 6568.50 |
| 9000 | 1.016533 | 9148.80 |
| 30000 | 0.993083 | 29792.49 |
