制造商型号： | NTZD3155CT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NTZD3155CT1G
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NTZD3155CT1G 中文资料
数据手册PDF
NTZD3155CT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 540 mA
漏源电阻 550 mOhms, 900 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 450 mV, 1 V
栅极电荷 2.5 nC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns, 12 ns
上升时间 4 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 6 ns, 10 ns
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 4000 | 0.650403 | 2601.61 |
| 8000 | 0.599121 | 4792.97 |
| 12000 | 0.572793 | 6873.52 |
| 20000 | 0.543087 | 10861.74 |
| 28000 | 0.525389 | 14710.89 |
