制造商型号: | SI4554DY-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SI4554DY-T1-GE3
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SI4554DY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI4554DY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 24 mOhms, 27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 1.2 V
栅极电荷 13.3 nC, 41.5 nC
耗散功率 3.1 W, 3.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 13 ns
正向跨导(Min) 25 S, 27 S
上升时间 9 ns, 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 50 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥9.281707 总价:¥9.28 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 9.281707 | 9.28 |
10 | 8.217707 | 82.18 |
100 | 6.300241 | 630.02 |
500 | 4.980428 | 2490.21 |
1000 | 3.984342 | 3984.34 |
品牌其他型号
SI4554DY-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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