制造商型号: |  SI4554DY-T1-GE3 | 
制造商: |  SILICONIX (威世) | 
产品类别: |  射频晶体管 | 
商品描述: |  MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO | 
供货: |  货期 工作日(7-10天) | 
渠道: |   国内现货       digikey     | 
服务: |  锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 | 
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SILICONIX(威世) SI4554DY-T1-GE3
 
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SI4554DY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
 SI4554DY-T1-GE3 规格参数
关键信息
 制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
 技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 24 mOhms, 27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 1.2 V
栅极电荷 13.3 nC, 41.5 nC
耗散功率 3.1 W, 3.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 13 ns
正向跨导(Min) 25 S, 27 S
上升时间 9 ns, 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 50 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 10 ns
物理类型
 产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 | 
|---|---|---|
| 2500 | 1.750815 | 4377.04 | 
品牌其他型号
    SI4554DY-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
     ,所属分类: 射频晶体管
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