制造商型号： | FDG6303N |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FDG6303N
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FDG6303N 中文资料
数据手册PDF
FDG6303N 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 450 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 2.3 nC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8.5 ns
正向跨导（Min） 1.45 S
上升时间 8.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 3 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
零件号别名 FDG6303N_NL
单位重量 28 mg
FDG6303N 同类别型号
库存： 1530
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.722405 | 5.72 |
| 10 | 4.478405 | 44.78 |
| 100 | 2.687044 | 268.70 |
| 500 | 2.487755 | 1243.88 |
| 1000 | 1.691718 | 1691.72 |
品牌其他型号
FDG6303N品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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