制造商型号： | SIA910EDJ-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIA910EDJ-T1-GE3
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SIA910EDJ-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIA910EDJ-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 16 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 23 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA910EDJ-GE3
单位重量 28 mg
SIA910EDJ-T1-GE3 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.261886 | 3785.66 |
| 6000 | 1.195487 | 7172.92 |
| 9000 | 1.106935 | 9962.42 |
| 30000 | 1.095946 | 32878.38 |
品牌其他型号
SIA910EDJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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