制造商型号: | SI4963BDY-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SI4963BDY-T1-E3
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SI4963BDY-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI4963BDY-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4963BDY-E3
单位重量 750 mg
SI4963BDY-T1-E3 同类别型号
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
121 | 0.792138 | 95.85 |
300 | 0.757636 | 227.29 |
500 | 0.723216 | 361.61 |
1000 | 0.688797 | 688.80 |
品牌其他型号
SI4963BDY-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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