制造商型号: | NTGD4167CT1G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) NTGD4167CT1G
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NTGD4167CT1G 中文资料
数据手册PDF
NTGD4167CT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.6 A, 1.9 A
漏源电阻 90 mOhms, 300 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 3.7 nC, 3.9 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns, 8 ns
正向跨导(Min) 2.6 S, 2.6 S
上升时间 4 ns, 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns, 22 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 8 ns
外形参数
高度 0.94 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 1.652808 | 4958.42 |
6000 | 1.546162 | 9276.97 |
15000 | 1.439584 | 21593.76 |
30000 | 1.364919 | 40947.57 |