制造商型号： | SIR460DP-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIR460DP-T1-GE3
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SIR460DP-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIR460DP-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 4.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 54 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIR460DP-GE3
单位重量 506.600 mg
库存： 2099
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 18 | 9.5415 | 171.75 |
| 20 | 9.174564 | 183.49 |
| 50 | 8.807483 | 440.37 |
| 100 | 8.440547 | 844.05 |
| 300 | 8.073466 | 2422.04 |
| 500 | 7.706674 | 3853.34 |
| 1000 | 7.339738 | 7339.74 |
品牌其他型号
SIR460DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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