SIR460DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 3.8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 16 ns
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
外形尺寸
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIR460DP-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SIR460DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N沟道 30 V 4.7 mΩ 5 W 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK -SO-8 | 搜索库存 |