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SIR460DP-T1-GE3

SIR460DP-T1-GE3

数据手册.pdf
SIR460DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 3.8 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 16 ns

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAKSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SIR460DP-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SIR460DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 N沟道 30 V 4.7 mΩ 5 W 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK -SO-8 搜索库存