制造商型号： | IPD50N06S409ATMA2 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPD50N06S409ATMA2
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IPD50N06S409ATMA2 中文资料
数据手册PDF
IPD50N06S409ATMA2 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 47 nC
耗散功率 71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD50N06S4-09 SP001028662
单位重量 330 mg
IPD50N06S409ATMA2 引脚图与封装图
IPD50N06S409ATMA2引脚图
IPD50N06S409ATMA2封装图
IPD50N06S409ATMA2封装焊盘图
IPD50N06S409ATMA2 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 3.557658 | 8894.15 |
| 5000 | 3.388234 | 16941.17 |
| 12500 | 3.23185 | 40398.13 |
品牌其他型号
IPD50N06S409ATMA2品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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