IPD50N06S409ATMA2、IPD50N06S4L12ATMA2、IPD50N06S409ATMA1对比区别

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型号 IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S409ATMA1

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 V晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 VDPAK N-CH 60V 50A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 71 W 50 W 71 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 50A 50A 50A

上升时间 40 ns 2 ns 40 ns

输入电容(Ciss) 2911pF @25V(Vds) 2220pF @25V(Vds) 3785pF @25V(Vds)

下降时间 5 ns 5 ns 5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 71000 mW 50000 mW 71W (Tc)

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0071 Ω 0.0096 Ω -

阈值电压 3 V 1.7 V -

长度 - - 6.5 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.41 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free