制造商型号: | ZXMN10A09KTC |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 5A DPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) ZXMN10A09KTC
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ZXMN10A09KTC 中文资料
数据手册PDF
ZXMN10A09KTC 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 7.7 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 10.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.3 ns
上升时间 5.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27.5 ns
典型接通延迟时间 6.8 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存: 1377
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 21.189284 | 21.19 |
10 | 19.023006 | 190.23 |
100 | 15.28943 | 1528.94 |
500 | 12.561577 | 6280.79 |
1000 | 10.408082 | 10408.08 |
品牌其他型号
ZXMN10A09KTC品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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