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IPD50N06S409ATMA2

IPD50N06S409ATMA2

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 V

Summary of Features:

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N-channel - Enhancement mode
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AEC qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green Product RoHS compliant
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100% Avalanche tested

Benefits:

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world"s lowest RDS at 60V on 
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highest current capability
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lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPD50N06S409ATMA2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0071 Ω

极性 N-CH

耗散功率 71 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 2911pF @25VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 71000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, Solenoids control, Single-ended motors, Valves control

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPD50N06S409ATMA2引脚图与封装图
IPD50N06S409ATMA2引脚图

IPD50N06S409ATMA2引脚图

IPD50N06S409ATMA2封装图

IPD50N06S409ATMA2封装图

IPD50N06S409ATMA2封装焊盘图

IPD50N06S409ATMA2封装焊盘图

在线购买IPD50N06S409ATMA2
型号 制造商 描述 购买
IPD50N06S409ATMA2 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPD50N06S409ATMA2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD50N06S409ATMA2

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 60V 50A

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: IPD50N06S4L12ATMA2

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 60V 50A

类似代替

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V

IPD50N06S409ATMA2和IPD50N06S4L12ATMA2的区别

型号: IPD50N06S409ATMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 60V 50A

类似代替

DPAK N-CH 60V 50A

IPD50N06S409ATMA2和IPD50N06S409ATMA1的区别