制造商型号： | SI4491EDY-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI4491EDY-T1-GE3
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SI4491EDY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI4491EDY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25.8 A
漏源电阻 11.2 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 153 nC
耗散功率 6.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 187 mg
库存： 1144
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 12.547844 | 12.55 |
| 10 | 11.24571 | 112.46 |
| 100 | 8.766918 | 876.69 |
| 500 | 7.242238 | 3621.12 |
| 1000 | 5.717556 | 5717.56 |
品牌其他型号
SI4491EDY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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