制造商型号: | CSD17381F4 |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD17381F4
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CSD17381F4 中文资料
数据手册PDF
CSD17381F4 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.1 A
漏源电阻 109 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 1.04 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.6 ns
正向跨导(Min) 4.8 S
上升时间 1.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.8 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
规格参数
开发套件 CSD1FNCHEVM-889
外形参数
高度 0.35 mm
长度 1 mm
宽度 0.64 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
CSD17381F4 引脚图与封装图
CSD17381F4引脚图
CSD17381F4封装图
CSD17381F4封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 0.619372 | 1858.12 |
品牌其他型号
CSD17381F4品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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