制造商型号: | DMG4822SSDQ-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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DIODES(美台) DMG4822SSDQ-13
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DMG4822SSDQ-13 中文资料
数据手册PDF
DMG4822SSDQ-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 1.42 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.1 ns
正向跨导(Min) 20 mS
上升时间 7.9 ns
典型关闭延迟时间 14.6 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 2.437459 | 6093.65 |
5000 | 2.193699 | 10968.50 |
12500 | 2.031168 | 25389.60 |
25000 | 1.998705 | 49967.63 |